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  HTGB高溫柵偏測試系統

 

      HTGB高溫柵偏測試系統是唯一一款動態HTGB測試系統。其優點是軟件控制的測試過程、大量的測試設備和調整試驗參數的靈活性。該系統用高壓變化來刺激被測器件的柵極在許多應用中,特別是在新技術方面。用高壓變化對器件參數的影響在靜態HTGB測試中是看不到的。對于像碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這樣的新型寬禁帶器件來說,這種動態HTGB技術尤其重要。

這套測試系統提供了柵閾值電壓的現場(就地)測量。通過中斷刺激,切換到測量電路,然后繼續刺激全自動。每個DUT停止刺激和測量之間的時間是恒定的,以避免不同結果的影響。沒有這些預防措施,可重復性和可比性設備會有限制。

全自動測量取代了通常需要的手動測量讀數節省時間和成本,同時提高觀察視野。測量的閾值電壓分為Vth(向上)和Vth(向下),每一個都有一個可配置預處理階段。

 

測試通道:

工作臺:10,20,40個

機架(42 U): 40、80、120、160、200、240 DUT:

 

全自動原位Vth測量:

測量時間間隔

可定制的門刺激曲線(預處理)

將測量數據記錄到TDMS文件中

 

測試參數:

總測試時間(0-1500h)

外加漏極電壓(0V-2000V)

冷熱板溫度:20℃-200℃

門刺激V+ (0V-30V)、V- (-15V-0V)

門頻率(100Hz - 200kHz)

Vth測量間隔(10秒)

V測量電壓曲線

 

工作原理:

所設置的測試系統對高du/dt的柵極進行刺激,以測試這些效應的影響。

頻率比應用中更快,以加速測試。

采用多次原位測量,顯示了趨勢和漂移。

 

圖示描述已自動生成

 

應用背景

 

•寬頻帶器件(SiC/GaN)在暴露于高du/dt時顯示出新的效果。

•這些效果會影響DUT的關鍵特性,從而影響應用

•常規測試(H(3)TRB/HTGB)不存在這些影響

•全球標準化組織都在致力于發布動態測試標準

•作為德國汽車半導體工作組(ECPE AQG 324)的一部分參與該過程。

 

動態高溫柵偏置功率半導體可靠性測試系統采用模塊化設計,使其可擴展性從 40 個DUT到240個DUT的單個機架。這樣就可以在較小的占用空間上進行有效的測試。

DUT被安排在抽屜里每 40 個DUT,在應用或工程環境中使用時,可根據要求提供桌面變體。 這個桌面是一種適合工程實驗室使用的小架子。它包含一個抽屜和額外的改變,允許更多的儀器或刺激來獲得更多的觀察視野,非常適合SiC功率器件可靠性測試。


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